STW69N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW69N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW69N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW69N65M5 даташит

 ..1. Size:666K  st
 stfw69n65m5 stw69n65m5.pdf pdf_icon

STW69N65M5

STFW69N65M5 STW69N65M5 N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A MDmesh V Power MOSFET in TO-3PF and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID STFW69N65M5 710 V

 0.1. Size:783K  st
 stw69n65m5-4.pdf pdf_icon

STW69N65M5

STW69N65M5-4 N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS @ TJmax max ID STW69N65M5-4 710 V 0.045 58 A Higher VDS rating 4 3 Higher dv/dt capability 2 1 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin TO247-4 Easy to drive 100% aval

Другие IGBT... STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, 2N7002, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80