STW7NA100 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STW7NA100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW7NA100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO-247

Búsqueda de reemplazo de STW7NA100 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:76K st
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STW7NA100 STH7NA100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA100 1000 V

..2. Size:117K njs
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8.1. Size:132K 1
sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

8.2. Size:106K st
sth7na90fi stw7na90.pdf pdf_icon

STW7NA90 STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA90 900 V