STW7NA100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW7NA100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.75 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 125 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 270 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.7 Ohm
Тип корпуса: TO-247
STW7NA100 Datasheet (PDF)
stw7na100.pdf
STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V
sth7na80fi stw7na80.pdf
STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V
sth7na90fi stw7na90.pdf
STW7NA90STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA90 900 V
stw7na80.pdf
STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
