STW7NA100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW7NA100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW7NA100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW7NA100 даташит

 ..1. Size:76K  st
 stw7na100.pdf pdf_icon

STW7NA100

STW7NA100 STH7NA100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA100 1000 V

 ..2. Size:117K  njs
 stw7na100.pdf pdf_icon

STW7NA100

 8.1. Size:132K  1
 sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STW7NA100

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

 8.2. Size:106K  st
 sth7na90fi stw7na90.pdf pdf_icon

STW7NA100

STW7NA90 STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA90 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, 4435, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, STW8NA60, STW8NA80