STW7NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW7NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de STW7NA80 MOSFET
STW7NA80 Datasheet (PDF)
sth7na80fi stw7na80.pdf
STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V
stw7na80.pdf
STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V
stw7na100.pdf
STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V
Otros transistores... STW69N65M5 , STW69N65M5-4 , STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 , STW78N65M5 , STW7N105K5 , STW7NA100 , AON7410 , STW7NA90 , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , STW8NA60 , STW8NA80 , STW8NB100 .
History: 2SK4146-S19-AY | AP50T10GJ | SVS70R600SE3 | 2SK3835
History: 2SK4146-S19-AY | AP50T10GJ | SVS70R600SE3 | 2SK3835
Liste
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