STW7NA80 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STW7NA80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW7NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW7NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:132K 1
sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

..2. Size:123K st
stw7na80.pdf pdf_icon

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

..3. Size:148K njs
stw7na80.pdf pdf_icon

8.1. Size:76K st
stw7na100.pdf pdf_icon

STW7NA100 STH7NA100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA100 1000 V