STW7NA90 Todos los transistores

 

STW7NA90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW7NA90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW7NA90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  st
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STW7NA90

STW7NA90STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA90 900 V

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STW7NA90

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

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STW7NA90

STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V

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 stw7na80.pdf pdf_icon

STW7NA90

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

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History: HM50N06D | EMH2418R | SI1413EDH | S68N08ZS | LSH60R2K5HT | STY100NS20FD | HGB045N15S

 

 
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