Справочник MOSFET. STW7NA90

 

STW7NA90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW7NA90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW7NA90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW7NA90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  st
 sth7na90fi stw7na90.pdf pdf_icon

STW7NA90

STW7NA90STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA90 900 V

 8.1. Size:132K  1
 sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STW7NA90

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

 8.2. Size:76K  st
 stw7na100.pdf pdf_icon

STW7NA90

STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V

 8.3. Size:123K  st
 stw7na80.pdf pdf_icon

STW7NA90

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW69N65M5-4 , STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 , STW78N65M5 , STW7N105K5 , STW7NA100 , STW7NA80 , IRF9540N , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , STW8NA60 , STW8NA80 , STW8NB100 , STW9NA80 .

History: AON6816 | HGB050N14S | AO4453 | CEM3258 | TPM2008EP3 | DAMI220N200

 

 
Back to Top

 


 
.