STW8NA80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW8NA80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 188 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW8NA80 datasheet

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STW8NA80

STW8NA80 STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID 800 V

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STW8NA80

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STW8NA80

STW8NA60 STH8NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NA60 600 V

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STW8NA80

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