STW8NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW8NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 188 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de STW8NA80 MOSFET
STW8NA80 Datasheet (PDF)
stw8na80.pdf

STW8NA80STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) ID800 V
stw8na60.pdf

STW8NA60STH8NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NA60 600 V
Otros transistores... STW7NA100 , STW7NA80 , STW7NA90 , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , STW8NA60 , IRF530 , STW8NB100 , STW9NA80 , STW9NK95Z , STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , STWA57N65M5 , STWA88N65M5 .
History: STW21N90K5 | IPD144N06NG | AOT20N25L | UPA1830GR | PHM12NQ20T | HGD058N08SL | WFW064N
History: STW21N90K5 | IPD144N06NG | AOT20N25L | UPA1830GR | PHM12NQ20T | HGD058N08SL | WFW064N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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