IXFX120N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFX120N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXFX120N20 datasheet

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IXFX120N20

HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 V IXFK 120N20 ID25 = 120 A Power MOSFETs RDS(on) = 17 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGS Continuous 20 V (TAB) G VGSM Transient 30 V D I

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IXFX120N20

VDSS = 250 V IXFK 120N25P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 120 A IXFX 120N25P Power MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 V TO-264 (IXFK) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continuous

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IXFX120N20

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFK120N65X2 Power MOSFET ID25 = 120A IXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264P (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS

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IXFX120N20

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFK120N30P3 Power MOSFETs ID25 = 120A IXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V Tab VDGR TJ = 25 C to 150

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