STY100NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STY100NM60N
   Código: 100NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 98 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 330 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: MAX247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STY100NM60N

STY100NM60N Datasheet (PDF)

..1. Size:810K st
sty100nm60n.pdf

STY100NM60NN-channel 600 V, 0.028 typ., 98 A MDmesh II Power MOSFET in a Max247 packageDatasheet production dataFeaturesVDSSType RDS(on) max ID@ TJmaxSTY100NM60N 650 V

7.1. Size:255K st
sty100ns20fd.pdf

STY100NS20FDN-channel 200V - 0.022 - 100A - Max247MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTY100NS20FD 200V

9.1. Size:902K st
sty105nm50n.pdf

STY105NM50NN-channel 500 V, 0.019 typ., 110 A, MDmesh II Power MOSFET in a Max247 packageDatasheet - production dataFeaturesVDSS Order code@TjMAX RDS(on) max IDSTY105NM50N 550 V

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: