STY100NM60N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STY100NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: MAX247
Аналог (замена) для STY100NM60N
STY100NM60N Datasheet (PDF)
sty100nm60n.pdf

STY100NM60NN-channel 600 V, 0.028 typ., 98 A MDmesh II Power MOSFET in a Max247 packageDatasheet production dataFeaturesVDSSType RDS(on) max ID@ TJmaxSTY100NM60N 650 V
sty100ns20fd.pdf

STY100NS20FDN-channel 200V - 0.022 - 100A - Max247MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTY100NS20FD 200V
sty105nm50n.pdf

STY105NM50NN-channel 500 V, 0.019 typ., 110 A, MDmesh II Power MOSFET in a Max247 packageDatasheet - production dataFeaturesVDSS Order code@TjMAX RDS(on) max IDSTY105NM50N 550 V
Другие MOSFET... STW8NB100 , STW9NA80 , STW9NK95Z , STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , STWA57N65M5 , STWA88N65M5 , 13N50 , STY100NS20FD , STY105NM50N , STY139N65M5 , STY145N65M5 , STY34NB50 , MCH3333A , MCH3382 , MCH3421 .
History: STP26NM60N
History: STP26NM60N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor