STY100NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STY100NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: MAX247

Аналог (замена) для STY100NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STY100NM60N даташит

 ..1. Size:810K  st
 sty100nm60n.pdf pdf_icon

STY100NM60N

STY100NM60N N-channel 600 V, 0.028 typ., 98 A MDmesh II Power MOSFET in a Max247 package Datasheet production data Features VDSS Type RDS(on) max ID @ TJmax STY100NM60N 650 V

 7.1. Size:255K  st
 sty100ns20fd.pdf pdf_icon

STY100NM60N

STY100NS20FD N-channel 200V - 0.022 - 100A - Max247 MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STY100NS20FD 200V

 9.1. Size:902K  st
 sty105nm50n.pdf pdf_icon

STY100NM60N

STY105NM50N N-channel 500 V, 0.019 typ., 110 A, MDmesh II Power MOSFET in a Max247 package Datasheet - production data Features VDSS Order code @TjMAX RDS(on) max ID STY105NM50N 550 V

Другие IGBT... STW8NB100, STW9NA80, STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STWA57N65M5, STWA88N65M5, TK10A60D, STY100NS20FD, STY105NM50N, STY139N65M5, STY145N65M5, STY34NB50, MCH3333A, MCH3382, MCH3421