MCH6660 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MCH6660
   Código: XM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.136 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363 MCPH6 SC88

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MCH6660

MCH6660 Datasheet (PDF)

..1. Size:1002K onsemi
mch6660.pdf

MCH6660Power MOSFETwww.onsemi.com 20V, 136m , 2A, 20V, 266m , 1.5A Complementary DualFeatures ON-resistance Nch : RDS(on)1=105m (typ.) 1.8V Drive ESD Diode - Protected Gate Pch : RDS(on)1=205m (typ.) Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Ultrasmall Package MCPH6(2.0mm 2.1mm mmt) 0.85 Nch MOSFET and Pch MOSFET are p

8.1. Size:644K onsemi
mch6663.pdf

MCH6663 Power MOSFET www.onsemi.com 30V, 188m, 1.8A, -30V, 325m, -1.5A,Complementary Dual Features VDSS RDS(on) Max ID Max ON-Resistance Nch : RDS(on)1=145m (typ) 188 m@ 10V N-Ch Pch : RDS(on)1=250m (typ) 343 m@ 4.5V 1.8A 30V 4V Drive 378 m@ 4V Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET 325 m@ -10V P-Ch Pb-Free, Halogen Fre

8.2. Size:854K onsemi
mch6664.pdf

Ordering number : ENA2281AMCH6664P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 30V, 1.5A, 325m , Dual MCPH6Features ON-resistance Pch : RDS(on)1=250m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS --30 VGate to Source Voltage VGSS 20 V

8.3. Size:578K onsemi
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MCH6662Power MOSFETwww.onsemi.com20V, 160m , 2A, Dual N-ChannelFeatures ON-Resistance Nch : RDS(on)1=120m (typ) 1.8V Drive ESD Diode - Protected Gate Pb-Free, Halogen Free and RoHS ComplianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 V

8.4. Size:840K onsemi
mch6661.pdf

Ordering number : ENA2280AMCH6661N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com30V, 1.8A, 188m , Dual MCPH6Features ON-resistance Nch : RDS(on)1=145m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Cur

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Liste

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