MCPF04N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCPF04N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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MCPF04N65 datasheet

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MCPF04N65

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MCPF04N65

MCC TM MCDF04N60 Micro Commercial Components Output Characteristics Transfer Characteristics 8 1.0 Ta=25 Ta=25 Pulsed Pulsed 6V 0.8 6 5.5V 0.6 5V 4 0.4 VGS=4.5V 2 0.2 0 0.0 0 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) RDS(ON) VGS RDS(ON) ID 5 15 Ta=25 Ta=25 Pulsed Pulsed 4 12 3 9 VGS= 10V

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MCPF04N65

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