Справочник MOSFET. MCPF04N65

 

MCPF04N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCPF04N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MCPF04N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCPF04N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  mcc
 mcpf04n65.pdf pdf_icon

MCPF04N65

 6.1. Size:714K  mcc
 mcpf04n60.pdf pdf_icon

MCPF04N65

MCCTMMCDF04N60Micro Commercial ComponentsOutput CharacteristicsTransfer Characteristics8 1.0Ta=25Ta=25PulsedPulsed6V0.865.5V0.65V40.4VGS=4.5V20.20 0.00 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)RDS(ON) VGSRDS(ON) ID5 15Ta=25 Ta=25Pulsed Pulsed4 123 9VGS= 10V

 9.1. Size:600K  mcc
 mcpf05n60b.pdf pdf_icon

MCPF04N65

 9.2. Size:595K  mcc
 mcpf08n60.pdf pdf_icon

MCPF04N65

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MCP87018 , MCP87022 , MCP87030 , MCP87050 , MCP87055 , MCP87090 , MCP87130 , MCPF04N60 , EMB04N03H , MCPF05N60B , MCPF08N60 , MCQ4822 , MCU01N80 , MCU02N80 , MCU04N60 , MCU04N65 , MCU05N60 .

History: CS18N20BB | PPMT20V4E | 2SK3403K

 

 
Back to Top

 


 
.