MCPF04N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MCPF04N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для MCPF04N65
MCPF04N65 Datasheet (PDF)
mcpf04n60.pdf

MCCTMMCDF04N60Micro Commercial ComponentsOutput CharacteristicsTransfer Characteristics8 1.0Ta=25Ta=25PulsedPulsed6V0.865.5V0.65V40.4VGS=4.5V20.20 0.00 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)RDS(ON) VGSRDS(ON) ID5 15Ta=25 Ta=25Pulsed Pulsed4 123 9VGS= 10V
Другие MOSFET... MCP87018 , MCP87022 , MCP87030 , MCP87050 , MCP87055 , MCP87090 , MCP87130 , MCPF04N60 , HY1906P , MCPF05N60B , MCPF08N60 , MCQ4822 , MCU01N80 , MCU02N80 , MCU04N60 , MCU04N65 , MCU05N60 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035