SP8K24FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SP8K24FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SP8K24FRA

SP8K24FRA Datasheet (PDF)

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sp8k24fra.pdf

SP8K24FRASP8K24TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Nch MOSFETSP8K24SP8K24FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel SOP8MOSFET 5.01.750.4(8) (5) Features1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). (1) (4)0.21.271pin mark ApplicationsEach lead has same dimensionsPower switching , DC / DC converter , I

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Liste

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