SP8K24FRA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SP8K24FRA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для SP8K24FRA
SP8K24FRA Datasheet (PDF)
sp8k24fra.pdf

SP8K24FRASP8K24TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Nch MOSFETSP8K24SP8K24FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel SOP8MOSFET 5.01.750.4(8) (5) Features1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). (1) (4)0.21.271pin mark ApplicationsEach lead has same dimensionsPower switching , DC / DC converter , I
Другие MOSFET... MCU04N60 , MCU04N65 , MCU05N60 , ME3587-G , MFE930 , MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , 20N60 , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA .
History: TPCP8102 | GSM2014 | IRF3808S | IRFS634B
History: TPCP8102 | GSM2014 | IRF3808S | IRFS634B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet