SP8M8FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8M8FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SP8M8FRA datasheet

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SP8M8FRA

SP8M8FRA SP8M8 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Pch MOSFET SP8M8FRA SP8M8 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Smal Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensions Packaging specifications

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