Справочник MOSFET. SP8M8FRA

 

SP8M8FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8M8FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M8FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  rohm
sp8m8fra.pdfpdf_icon

SP8M8FRA

SP8M8FRASP8M8Transistors AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Pch MOSFETSP8M8FRASP8M8 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Smal Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensions Packaging specifications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SNN0310Q

 

 
Back to Top

 


 
.