Справочник MOSFET. SP8M8FRA

 

SP8M8FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8M8FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SP8M8FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M8FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  rohm
 sp8m8fra.pdf pdf_icon

SP8M8FRA

SP8M8FRASP8M8Transistors AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Pch MOSFETSP8M8FRASP8M8 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Smal Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensions Packaging specifications

Другие MOSFET... SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , IRF1404 , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 , SPC1016 , SPC1018 , SPC4516 , SPC4516B , SPC4527 .

History: RJK2017DPP | BSC072N03LDG

 

 
Back to Top

 


 
.