SP8M8FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8M8FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для SP8M8FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M8FRA даташит

 ..1. Size:958K  rohm
 sp8m8fra.pdf pdf_icon

SP8M8FRA

SP8M8FRA SP8M8 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Pch MOSFET SP8M8FRA SP8M8 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Smal Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensions Packaging specifications

Другие IGBT... SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, SP8M21FRA, SP8M51, SP8M70, IRF1404, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016, SPC1018, SPC4516, SPC4516B, SPC4527