SPB42N03S2L-13 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPB42N03S2L-13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0199 Ohm

Encapsulados: P-TO263-3-2

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SPB42N03S2L-13 datasheet

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SPB42N03S2L-13

SPI42N03S2L-13 SPP42N03S2L-13 SPB42N03S2L-13 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS N-channel R 12.9 m DS(on),max Enhancement mode I 42 A D Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv /dt ra

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