SPB42N03S2L-13 Todos los transistores

 

SPB42N03S2L-13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPB42N03S2L-13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0199 Ohm
   Paquete / Cubierta: P-TO263-3-2
 

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SPB42N03S2L-13 Datasheet (PDF)

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SPB42N03S2L-13

SPI42N03S2L-13SPP42N03S2L-13 SPB42N03S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channelR 12.9mDS(on),max Enhancement modeI 42 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistanceP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv /dt ra

Otros transistores... SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , IRF640N , SPB80N03S2 , SPC1016 , SPC1018 , SPC4516 , SPC4516B , SPC4527 , SPC4533 , SPC4533W .

History: BLF278 | BL13N25-P | OSG65R580DTF

 

 
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