SPB42N03S2L-13 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPB42N03S2L-13
Маркировка: 2N03L13
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0199 Ohm
Тип корпуса: P-TO263-3-2
Аналог (замена) для SPB42N03S2L-13
SPB42N03S2L-13 Datasheet (PDF)
spb42n03s2l-13.pdf
SPI42N03S2L-13SPP42N03S2L-13 SPB42N03S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channelR 12.9mDS(on),max Enhancement modeI 42 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistanceP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv /dt ra
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100