SPC5604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPC5604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-5L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPC5604

SPC5604 Datasheet (PDF)

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spc5604.pdf

SPC5604 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC5604 is the N- and P-Channel enhancement Battery Powered System mode power field effect transistors are produced using DC/DC Converter high cell density, DMOS trench technology. This high LCD Display inverter density process is especially tailored to minimize on-state

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