SPC5604 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPC5604

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TO-252-5L

 Búsqueda de reemplazo de SPC5604 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPC5604 datasheet

 ..1. Size:425K  syncpower
 spc5604.pdf pdf_icon

SPC5604

SPC5604 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC5604 is the N- and P-Channel enhancement Battery Powered System mode power field effect transistors are produced using DC/DC Converter high cell density, DMOS trench technology. This high LCD Display inverter density process is especially tailored to minimize on-state

Otros transistores... SPC4516B, SPC4527, SPC4533, SPC4533W, SPC4539, SPC4539B, SPC4567, SPC4567W, IRFP250N, SPC6332, SPC6601, SPC6602, SPC6604, SPC6605, SPD30N03S2L-10, SPD50N03S2-07, SPD50N03S2L-06