SPC6332 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPC6332

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SPC6332 datasheet

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SPC6332

SPC6332 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC6332 is the N- and P-Channel enhancement Portable Equipment mode power field effect transistors are produced using Battery Powered System high cell density , DMOS trench technology. This high DC/DC Converter density process is especially tailored to minimize on-sta

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