SPC6332 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPC6332
Código: 32YW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 1.2 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
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SPC6332 Datasheet (PDF)
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SPC6332 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC6332 is the N- and P-Channel enhancement Portable Equipment mode power field effect transistors are produced using Battery Powered System high cell density , DMOS trench technology. This high DC/DC Converter density process is especially tailored to minimize on-sta
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