SPC6332 Todos los transistores

 

SPC6332 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPC6332
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPC6332 Datasheet (PDF)

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SPC6332

SPC6332 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC6332 is the N- and P-Channel enhancement Portable Equipment mode power field effect transistors are produced using Battery Powered System high cell density , DMOS trench technology. This high DC/DC Converter density process is especially tailored to minimize on-sta

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History: SLF60R650S2 | FDB6690S | SIHP22N65E | 2SK2907-01 | RJK0629DPK | RUH1H130S | WMQ46N03T1

 

 
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