SPC6332. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPC6332

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SPC6332

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC6332 даташит

 ..1. Size:228K  syncpower
 spc6332.pdf pdf_icon

SPC6332

SPC6332 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC6332 is the N- and P-Channel enhancement Portable Equipment mode power field effect transistors are produced using Battery Powered System high cell density , DMOS trench technology. This high DC/DC Converter density process is especially tailored to minimize on-sta

Другие IGBT... SPC4527, SPC4533, SPC4533W, SPC4539, SPC4539B, SPC4567, SPC4567W, SPC5604, IRF630, SPC6601, SPC6602, SPC6604, SPC6605, SPD30N03S2L-10, SPD50N03S2-07, SPD50N03S2L-06, SPD50N03S2L-06T