SPN65T10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPN65T10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-262 TO-263

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SPN65T10 datasheet

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SPN65T10

SPN65T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS DC/DC Converter The SPN65T10 is the N-Channel enhancement mode Load Switch power field effect transistor which is produced using high SMPS Secondary Side Synchronous Rectifier cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devic

 9.1. Size:881K  cn vbsemi
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SPN65T10

SPN6561S26RGB www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6.0 20 1.8 nC 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6

Otros transistores... SPN05T10, SPN09T10, SPN1012, SPN10T10, SPN11T10, SPN12T20, SPN30T10, SPN50T10, AON6380, SPN80T10, SPP08P06P, SPP14N05, SPP15P10P, SPP15P10PH, SPP15P10PL, SPP18P06PG, SPP20N05L