SPN65T10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN65T10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-262 TO-263

Аналог (замена) для SPN65T10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN65T10 даташит

 ..1. Size:351K  syncpower
 spn65t10.pdf pdf_icon

SPN65T10

SPN65T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS DC/DC Converter The SPN65T10 is the N-Channel enhancement mode Load Switch power field effect transistor which is produced using high SMPS Secondary Side Synchronous Rectifier cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devic

 9.1. Size:881K  cn vbsemi
 spn6561s26rgb.pdf pdf_icon

SPN65T10

SPN6561S26RGB www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6.0 20 1.8 nC 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6

Другие IGBT... SPN05T10, SPN09T10, SPN1012, SPN10T10, SPN11T10, SPN12T20, SPN30T10, SPN50T10, AON6380, SPN80T10, SPP08P06P, SPP14N05, SPP15P10P, SPP15P10PH, SPP15P10PL, SPP18P06PG, SPP20N05L