SPP15P10PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPP15P10PL
   Código: 15P10PL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 128 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 272 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TO220-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPP15P10PL

SPP15P10PL Datasheet (PDF)

..1. Size:761K infineon
spp15p10pl spp15p10plh.pdf

SPP15P10PLH SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 0.20DS(on),max Enhancement modeI -15 AD logic level Avalanche ratedPG-TO220-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free PackingSPP15P10PL H PG-TO220-3

5.1. Size:639K 1
spd15p10pg spp15p10pg.pdf

SPP15P10P GSPD15P10P GSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 0.24DS(on),max Enhancement modeI -15 AD Normal level Avalanche ratedPG-TO220-3 PG-TO252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliantType Package Marking Lead free PackingSPP15P10P G PG-TO220-3 15P10P Yes Non drySPD15P10P G PG-TO252-3 15P10P Yes N

5.2. Size:824K infineon
spp15p10p spp15p10ph.pdf

SPP15P10P HSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 0.24DS(on),max Enhancement modeI -15 AD Normal level Avalanche ratedPG-TO220-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249_2_21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free PackingSPP15P10PH PG-

5.3. Size:243K inchange semiconductor
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isc P-Channel MOSFET Transistor SPP15P10PISPP15P10PFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.24Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONCombine with the fast switching speed and ruggedized devicedesign,provide the designer with an extremely efficient and

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: