SPP77N05 Todos los transistores

 

SPP77N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPP77N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de SPP77N05 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SPP77N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  siemens
 buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

SPP77N05

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

 7.1. Size:311K  infineon
 spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf pdf_icon

SPP77N05

SPP77N06S2-12SPB77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 12 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S60292N0612SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612Ma

Otros transistores... SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P , SPP15P10PH , SPP15P10PL , SPP18P06PG , SPP20N05L , SPP22N05 , 10N65 , SPP80N05 , SPP80N05L , SPP80N06S-08 , SPP80P06P , SPP80P06PG , SPR80N03 , SPU07N20G , SPW55N80C3 .

History: IRFP350PBF | HM4953C | AFN08N50T220FT | CJ2306

 

 
Back to Top

 


 
.