SPP77N05 - аналоги и даташиты транзистора

 

SPP77N05 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPP77N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SPP77N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP77N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  siemens
 buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

SPP77N05

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

 7.1. Size:311K  infineon
 spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf pdf_icon

SPP77N05

SPP77N06S2-12SPB77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 12 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S60292N0612SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612Ma

Другие MOSFET... SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P , SPP15P10PH , SPP15P10PL , SPP18P06PG , SPP20N05L , SPP22N05 , 2SK3568 , SPP80N05 , SPP80N05L , SPP80N06S-08 , SPP80P06P , SPP80P06PG , SPR80N03 , SPU07N20G , SPW55N80C3 .

History: HGA098N10A

 

 
Back to Top

 


 
.