Справочник MOSFET. SPP77N05

 

SPP77N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPP77N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP77N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  siemens
 buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

SPP77N05

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

 7.1. Size:311K  infineon
 spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf pdf_icon

SPP77N05

SPP77N06S2-12SPB77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 12 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S60292N0612SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612Ma

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFSL3207 | PMN70XPE | TK4A50D | NTP2955 | IPT210N25NFD | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.