SPP77N05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPP77N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SPP77N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP77N05 даташит

 ..1. Size:88K  siemens
 buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

SPP77N05

BUZ 100 S SPP77N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

 7.1. Size:311K  infineon
 spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf pdf_icon

SPP77N05

SPP77N06S2-12 SPB77N06S2-12 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 12 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S6029 2N0612 SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612 Ma

Другие IGBT... SPP08P06P, SPP14N05, SPP15P10P, SPP15P10PH, SPP15P10PL, SPP18P06PG, SPP20N05L, SPP22N05, 4N60, SPP80N05, SPP80N05L, SPP80N06S-08, SPP80P06P, SPP80P06PG, SPR80N03, SPU07N20G, SPW55N80C3