SPR80N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPR80N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: PR-8PP
Búsqueda de reemplazo de SPR80N03 MOSFET
SPR80N03 Datasheet (PDF)
spr80n03.pdf

SPR80N03 80A , 30V , RDS(ON) 5.5 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION PR-8PP The SPR80N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The PR-8PP package
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History: OSG70R350AF | BRCS065N08SHBD | NCEP038N10GU | FQPF12N60T | IPW60R031CFD7 | NCEP0225K | 3SK292
History: OSG70R350AF | BRCS065N08SHBD | NCEP038N10GU | FQPF12N60T | IPW60R031CFD7 | NCEP0225K | 3SK292



Liste
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MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
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