Справочник MOSFET. SPR80N03

 

SPR80N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPR80N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PR-8PP
 

 Аналог (замена) для SPR80N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPR80N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  secos
 spr80n03.pdf pdf_icon

SPR80N03

SPR80N03 80A , 30V , RDS(ON) 5.5 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION PR-8PP The SPR80N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The PR-8PP package

Другие MOSFET... SPP20N05L , SPP22N05 , SPP77N05 , SPP80N05 , SPP80N05L , SPP80N06S-08 , SPP80P06P , SPP80P06PG , SKD502T , SPU07N20G , SPW55N80C3 , SQ1420EEH , SQ1421EEH , SQ1431EH , SQ1470AEH , SQ1470EH , SQ1539EH .

History: CHM13N07PAGP | 2SK3925-01 | CHM3301PAGP | US6U37

 

 
Back to Top

 


 
.