SPR80N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPR80N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PR-8PP

Аналог (замена) для SPR80N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPR80N03 даташит

 ..1. Size:292K  secos
 spr80n03.pdf pdf_icon

SPR80N03

SPR80N03 80A , 30V , RDS(ON) 5.5 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION PR-8PP The SPR80N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The PR-8PP package

Другие IGBT... SPP20N05L, SPP22N05, SPP77N05, SPP80N05, SPP80N05L, SPP80N06S-08, SPP80P06P, SPP80P06PG, RFP50N06, SPU07N20G, SPW55N80C3, SQ1420EEH, SQ1421EEH, SQ1431EH, SQ1470AEH, SQ1470EH, SQ1539EH