SQ1420EEH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ1420EEH
   Código: 9A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ1420EEH

SQ1420EEH Datasheet (PDF)

..1. Size:170K vishay
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SQ1420EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.140 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.200 100 % Rg TestedID (A) 1.6 Typical ESD Protection: 800 VConfiguration

9.1. Size:200K vishay
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SQ1421EDHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Single (6 leads) AEC-Q101 qualifiedS4 100 % Rg and UIS testedD5D Typical ESD protection: 800 V6 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G2D1(1, 2, 5, 6) D

9.2. Size:169K vishay
sq1421eeh.pdf

SQ1421EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.290 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.395 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 1.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Typical

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Liste

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