SQ1420EEH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ1420EEH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SQ1420EEH datasheet

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SQ1420EEH

SQ1420EEH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.140 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.200 100 % Rg Tested ID (A) 1.6 Typical ESD Protection 800 V Configuration

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SQ1420EEH

SQ1421EDH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES SOT-363 TrenchFET power MOSFET SC-70 Single (6 leads) AEC-Q101 qualified S 4 100 % Rg and UIS tested D 5 D Typical ESD protection 800 V 6 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 3 G 2 D 1 (1, 2, 5, 6) D

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SQ1420EEH

SQ1421EEH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.290 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.395 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 1.6 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Typical

Otros transistores... SPP80N05, SPP80N05L, SPP80N06S-08, SPP80P06P, SPP80P06PG, SPR80N03, SPU07N20G, SPW55N80C3, 18N50, SQ1421EEH, SQ1431EH, SQ1470AEH, SQ1470EH, SQ1539EH, SQ1563AEH, SQ1902AEL, SQ1912AEEH