SQ1420EEH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQ1420EEH
Маркировка: 9A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.7 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 36 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
SQ1420EEH Datasheet (PDF)
sq1420eeh.pdf
SQ1420EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.140 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.200 100 % Rg TestedID (A) 1.6 Typical ESD Protection: 800 VConfiguration
sq1421edh.pdf
SQ1421EDHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Single (6 leads) AEC-Q101 qualifiedS4 100 % Rg and UIS testedD5D Typical ESD protection: 800 V6 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G2D1(1, 2, 5, 6) D
sq1421eeh.pdf
SQ1421EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.290 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.395 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 1.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Typical
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: BSS138BKS
