SQ1421EEH Todos los transistores

 

SQ1421EEH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ1421EEH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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SQ1421EEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
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SQ1421EEH

SQ1421EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.290 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.395 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 1.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Typical

 7.1. Size:200K  vishay
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SQ1421EEH

SQ1421EDHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Single (6 leads) AEC-Q101 qualifiedS4 100 % Rg and UIS testedD5D Typical ESD protection: 800 V6 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G2D1(1, 2, 5, 6) D

 9.1. Size:170K  vishay
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SQ1421EEH

SQ1420EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.140 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.200 100 % Rg TestedID (A) 1.6 Typical ESD Protection: 800 VConfiguration

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History: IPD031N03L

 

 
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