SQ1902AEL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ1902AEL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.78 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.415 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
SQ1902AEL Datasheet (PDF)
sq1902ael.pdf
SQ1902AELwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 20 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.415 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.600 Material categorization: ID (A) 0.78for definitions of compliance please see Configuration Dual
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Liste
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