SQ1902AEL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ1902AEL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.78 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.415 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SQ1902AEL datasheet

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SQ1902AEL

SQ1902AEL www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 20 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.415 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.600 Material categorization ID (A) 0.78 for definitions of compliance please see Configuration Dual

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