SQ2308BES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ2308BES
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-236
- Selección de transistores por parámetros
SQ2308BES Datasheet (PDF)
sq2308bes.pdf

SQ2308BESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.220 100 % Rg and UIS TestedID (A) 2.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/
sq2308es.pdf

SQ2308ESVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.155 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.205 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 2.3 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Single Find out more a
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SQ2308CESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified cRDS(on) () at VGS = 10 V 0.150 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.164 Material categorization:ID (A) 2.3 For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 C
sq2303es.pdf

SQ2303ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.370 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: APT8052BLL | AOTF7N70 | IRFSL31N20DP | HM4612 | P9515BD | OSG80R900FF | ZVN4210ASTOA
History: APT8052BLL | AOTF7N70 | IRFSL31N20DP | HM4612 | P9515BD | OSG80R900FF | ZVN4210ASTOA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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