SQ2360EES Todos los transistores

 

SQ2360EES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ2360EES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQ2360EES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  vishay
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SQ2360EESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.085 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.130 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 4.4 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Typical ESD Pr

 9.1. Size:255K  vishay
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SQ2361AEESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Typical ESD protection: 800 VRDS(on) () at VGS = -10 V 0.170 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.230 100 % Rg and UIS testedID (A) -2.9 Material categorization:Configuration Singlefor

 9.2. Size:254K  vishay
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SQ2361ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.177 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.246 Material categorization: ID (A) -2.8for definitions of compliance please seeConfiguration Single

 9.3. Size:251K  vishay
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SQ2362ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.068 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.075 Material categorization: ID (A) 4.3for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

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History: GSM1563 | IXFR80N60P3 | APT6025BVR | IXFK48N50Q | 2N7064 | FQD5N15TF | KP771V

 

 
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