SQ2360EES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2360EES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-236

Аналог (замена) для SQ2360EES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2360EES даташит

 ..1. Size:220K  vishay
 sq2360ees.pdf pdf_icon

SQ2360EES

SQ2360EES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.085 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.130 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) 4.4 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Typical ESD Pr

 9.1. Size:255K  vishay
 sq2361aees.pdf pdf_icon

SQ2360EES

SQ2361AEES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Typical ESD protection 800 V RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.170 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.230 100 % Rg and UIS tested ID (A) -2.9 Material categorization Configuration Single for

 9.2. Size:254K  vishay
 sq2361es.pdf pdf_icon

SQ2360EES

SQ2361ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.177 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.246 Material categorization ID (A) -2.8 for definitions of compliance please see Configuration Single

 9.3. Size:251K  vishay
 sq2362es.pdf pdf_icon

SQ2360EES

SQ2362ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.068 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.075 Material categorization ID (A) 4.3 for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ2318AES, SQ2318ES, SQ2319ES, SQ2325ES, SQ2328ES, SQ2337ES, SQ2348ES, SQ2351ES, AOD4184A, SQ2361EES, SQ2361ES, SQ2362ES, SQ2389ES, SQ2398ES, SQ3410EV, SQ3418EEV, SQ3418EV