SQ2362ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ2362ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: TO-236

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SQ2362ES datasheet

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SQ2362ES

SQ2362ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.068 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.075 Material categorization ID (A) 4.3 for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

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SQ2361AEES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Typical ESD protection 800 V RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.170 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.230 100 % Rg and UIS tested ID (A) -2.9 Material categorization Configuration Single for

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SQ2361ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.177 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.246 Material categorization ID (A) -2.8 for definitions of compliance please see Configuration Single

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SQ2362ES

SQ2360EES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.085 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.130 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) 4.4 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Typical ESD Pr

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