SQ3410EV Todos los transistores

 

SQ3410EV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ3410EV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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SQ3410EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
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SQ3410EV

SQ3410EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0175 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0213For definitions of compliance please seeID (A) 8www.vishay.com/doc?99912

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SQ3410EV

Work-In-ProgressSQ3418AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Typical ESD protection 800 VRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 AEC-Q101 qualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 100 % Rg and UIS testedID (A) 8 Material categorization:Configuration Singl

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SQ3410EV

SQ3418EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an

 9.3. Size:209K  vishay
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SQ3410EV

SQ3419EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 40 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.050 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.078 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 7.4 Typical ESD Protection 800 V

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History: DH100P30AD | CEB75N10

 

 
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