SQ3456BEV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ3456BEV
   Código: 8L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ3456BEV

SQ3456BEV Datasheet (PDF)

..1. Size:229K vishay
sq3456bev.pdf

SQ3456BEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization:ID (A) 7.8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.

8.1. Size:209K vishay
sq3456ev.pdf

SQ3456EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

9.1. Size:205K vishay
sq3457ev.pdf

SQ3457EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.065 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.100 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/

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