SQ3456BEV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ3456BEV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SQ3456BEV datasheet

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SQ3456BEV

SQ3456BEV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization ID (A) 7.8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

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SQ3456EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

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SQ3456BEV

SQ3457EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.065 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.100 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/

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