SQ3456BEV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQ3456BEV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 67 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
SQ3456BEV Datasheet (PDF)
sq3456bev.pdf
SQ3456BEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization:ID (A) 7.8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.
sq3456ev.pdf
SQ3456EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis
sq3457ev.pdf
SQ3457EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.065 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.100 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
