SQ3457EV Todos los transistores

 

SQ3457EV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ3457EV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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SQ3457EV Datasheet (PDF)

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SQ3457EV

SQ3457EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.065 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.100 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/

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SQ3457EV

SQ3456EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

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SQ3457EV

SQ3456BEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.052 Material categorization:ID (A) 7.8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.

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History: NCE70N1K1D | CS5N80P | NVMFS5C404N | 2SK2252-01L | FQPF7N65CF105 | IRFU024PBF

 

 
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