SQ3460EV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ3460EV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SQ3460EV datasheet

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SQ3460EV

SQ3460EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 20 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.030 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 1.8 V 0.038 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 8 Co

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SQ3460EV

SQ3469EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 20 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.036 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.064 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) - 8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant

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SQ3460EV

SQ3461EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -12 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.025 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -2.5 V 0.032 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC RDS(on) ( ) at VGS = -1.8 V 0.043 ID (A) -8 Material cate

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