SQ3460EV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ3460EV
   Código: 8J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ3460EV

SQ3460EV Datasheet (PDF)

..1. Size:206K vishay
sq3460ev.pdf

SQ3460EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.030 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.038 100 % Rg and UIS TestedID (A) 8 Co

9.1. Size:206K vishay
sq3469ev.pdf

SQ3469EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 20DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.036 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.064 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant

9.2. Size:262K vishay
sq3461ev.pdf

SQ3461EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -12 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.025 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -2.5 V 0.032 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECRDS(on) () at VGS = -1.8 V 0.043ID (A) -8 Material cate

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