SQ4182EY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ4182EY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 868 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQ4182EY datasheet

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SQ4182EY

SQ4182EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0038 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0050 Material categorization ID (A) 32 For definitions of compliance please see Configuration Single www.v

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SQ4182EY

SQ4184EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY AEC-Q101 Qualified VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0046 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0056 For definitions of compliance please see ID (A) 29 www.vishay.com/doc?9991

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