Справочник MOSFET. SQ4182EY

 

SQ4182EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ4182EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 868 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQ4182EY

 

 

SQ4182EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  vishay
 sq4182ey.pdf

SQ4182EY SQ4182EY

SQ4182EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0050 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v

 9.1. Size:261K  vishay
 sq4184ey.pdf

SQ4182EY SQ4182EY

SQ4184EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifiedVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0046 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0056For definitions of compliance please see ID (A) 29www.vishay.com/doc?9991

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top