SQ4182EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4182EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 868 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4182EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4182EY даташит

 ..1. Size:267K  vishay
 sq4182ey.pdf pdf_icon

SQ4182EY

SQ4182EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0038 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0050 Material categorization ID (A) 32 For definitions of compliance please see Configuration Single www.v

 9.1. Size:261K  vishay
 sq4184ey.pdf pdf_icon

SQ4182EY

SQ4184EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY AEC-Q101 Qualified VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0046 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0056 For definitions of compliance please see ID (A) 29 www.vishay.com/doc?9991

Другие IGBT... SQ3442EV, SQ3456BEV, SQ3456EV, SQ3457EV, SQ3460EV, SQ3469EV, SQ3481EV, SQ3985EV, AO3400, SQ4184EY, SQ4282EY, SQ4284EY, SQ4330EY, SQ4401DY, SQ4401EY, SQ4410EY, SQ4425EY