SQ4184EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ4184EY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 7.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 29 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 512 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0046 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ4184EY
SQ4184EY Datasheet (PDF)
sq4184ey.pdf
SQ4184EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifiedVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0046 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0056For definitions of compliance please see ID (A) 29www.vishay.com/doc?9991
sq4182ey.pdf
SQ4182EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0050 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v
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