SQ4184EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ4184EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ4184EY

SQ4184EY Datasheet (PDF)

..1. Size:261K vishay
sq4184ey.pdf

SQ4184EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifiedVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0046 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0056For definitions of compliance please see ID (A) 29www.vishay.com/doc?9991

9.1. Size:267K vishay
sq4182ey.pdf

SQ4182EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0050 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v

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Liste

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