SQ4184EY Todos los transistores

 

SQ4184EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ4184EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SQ4184EY MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQ4184EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  vishay
 sq4184ey.pdf pdf_icon

SQ4184EY

SQ4184EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifiedVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0046 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0056For definitions of compliance please see ID (A) 29www.vishay.com/doc?9991

 9.1. Size:267K  vishay
 sq4182ey.pdf pdf_icon

SQ4184EY

SQ4182EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0050 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v

Otros transistores... SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , AON6414A , SQ4282EY , SQ4284EY , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY .

History: 2SK3377-Z | IRFH7110 | TPA70R450C

 

 
Back to Top

 


 
.