Справочник MOSFET. SQ4184EY

 

SQ4184EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4184EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4184EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4184EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  vishay
 sq4184ey.pdf pdf_icon

SQ4184EY

SQ4184EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifiedVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0046 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0056For definitions of compliance please see ID (A) 29www.vishay.com/doc?9991

 9.1. Size:267K  vishay
 sq4182ey.pdf pdf_icon

SQ4184EY

SQ4182EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0050 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v

Другие MOSFET... SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , AON6414A , SQ4282EY , SQ4284EY , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY .

History: IRFBE30SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.