IXFX55N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFX55N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXFX55N50 datasheet

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IXFX55N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFX 50N50 500 V 50 A 100 m Power MOSFETs IXFX 55N50 500 V 55 A 80 m trr 250 ns Single Die MOSFET Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM

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IXFX55N50

VDSS = 500 V IXFK 55N50 HiPerFETTM ID25 = 55 A IXFX 55N50 Power MOSFET RDS(on) = 90m IXFN 55N50 250 ns trr Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C 500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) G C ID25 TC = 25 C55 A E IDM TC = 2

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IXFX55N50

Advance Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 75V IXFK520N075T2 HiperFETTM ID25 = 520A IXFX520N075T2 Power MOSFET RDS(on) 2.2m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V Tab D S VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 75 V V

Otros transistores... IXFX24N100, IXFX26N90, IXFX28N60, IXFX32N50Q, IXFX34N80, IXFX44N60, IXFX48N50Q, IXFX50N50, STF13NM60N, IXFX90N20Q, IXFX90N30, IXTA1N100, IXTA2N80, IXTH10N100, IXTH10N90, IXTH10P50, IXTH11N80