IXFX55N50 Todos los transistores

 

IXFX55N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX55N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXFX55N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ixys
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IXFX55N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFX 50N50 500 V 50 A 100 mPower MOSFETsIXFX 55N50 500 V 55 A 80 m trr 250 ns Single Die MOSFETPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM

 ..2. Size:577K  ixys
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IXFX55N50

VDSS = 500 VIXFK 55N50HiPerFETTMID25 = 55 AIXFX 55N50Power MOSFETRDS(on) = 90mIXFN 55N50 250 nstrr Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C 500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)GCID25 TC = 25C55 AEIDM TC = 2

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IXFX55N50

Advance Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 75VIXFK520N075T2HiperFETTMID25 = 520AIXFX520N075T2 Power MOSFET RDS(on) 2.2m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C75 V TabDSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 75 VV

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