SQ4840EY Todos los transistores

 

SQ4840EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ4840EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 505 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQ4840EY Datasheet (PDF)

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SQ4840EY

SQ4840EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 AEC-Q101 QualifiedID (A) 20.7 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to Ro

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History: AP95T10GW-HF | 2SK2885

 

 
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