SQ7414EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ7414EN
   Código: Q001
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ7414EN

SQ7414EN Datasheet (PDF)

..1. Size:547K vishay
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SQ7414ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Low Thermal Resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.025Package with 1.07 mm ProfileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM OptimizedID (A) 5.6 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single 100 % R

8.1. Size:614K vishay
sq7414aen.pdf

SQ7414AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.026package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimizedID (A) 16 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC-

8.2. Size:229K vishay
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SQ7414CENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 DD77DD66package with 1.07 mm profile55 PWM optimized 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified1122 Wettable flank terminalsSS3

8.3. Size:210K vishay
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SQ7414AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.023package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 PWM optimizedID (A) 18 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC

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Liste

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